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IXYT30N450HV

更新时间： 2024-11-21 14:56:15
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 双极性晶体管高压
页数 文件大小 规格书
5页 271K
描述
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、低能量损耗和快速切换等特点。 凭借通态电压的正温度系数，这些高压IGBT可用于并联，相比串联低电压器件更加

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IXYT30N450HV 数据手册

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Advance Technical Information  
High Voltage XPTTM  
IGBT  
VCES = 4500V  
IC110 = 30A  
VCE(sat) 3.9V  
IXYT30N450HV  
IXYH30N450HV  
TO-268HV (IXYT)  
G
E
C (Tab)  
Symbol  
VCES  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TC = 25°C to 150°C  
4500  
4500  
V
V
TO-247HV (IXYH)  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1M  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
± 20  
± 30  
V
V
IC25  
IC110  
ICM  
TC = 25°C  
60  
30  
A
A
A
G
E
TC = 110°C  
TC = 25°C, 1ms  
C (Tab)  
C
200  
SSOA  
(RBSOA)  
VGE = 15V, TVJ = 125°C, RG = 10  
Clamped Inductive Load  
ICM = 90  
3600  
A
V
G = Gate  
E = Emitter  
C
= Collector  
Tab = Collector  
PC  
TC = 25°C  
430  
W
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
TJM  
Tstg  
Features  
-55 ... +150  
High Voltage Packages  
High Blocking Voltage  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
High Peak Current Capability  
Low Saturation Voltage  
Md  
Mounting Torque (TO-247HV)  
1.13/10  
Nm/lb.in  
Weight  
TO-268HV  
TO-247HV  
4.0  
6.0  
g
g
Advantages  
Low Gate Drive Requirement  
High Power Density  
Symbol Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C Unless Otherwise Specified)  
Min.  
4500  
3.0  
Typ.  
Max.  
Applications  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250μA, VGE = 0V  
IC = 250μA, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
5.0  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies (UPS)  
Laser Generators  
Capacitor Discharge Circuits  
25 μA  
1 mA  
TJ = 125°C  
TJ = 125°C  
IGES  
VCE = 0V, VGE = ± 20V  
±200 nA  
AC Switches  
VCE(sat)  
IC = 30A, VGE = 15V, Note 1  
3.2  
4.5  
3.9  
V
V
© 2014 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100614(5/14)  
12345

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与IXYT30N450HV相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXYT30N65C3H1HV LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYT40N120A4HV LITTELFUSE

获取价格

 		通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达
IXYT55N120A4HV LITTELFUSE

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXYT80N90C3 IXYS

获取价格

 		XPTTM 900V IGBT
IXYT80N90C3 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT

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