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IXYT20N120C3D1HV

更新时间： 2024-11-19 14:56:51
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 255K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。 它们具有正集电

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1200V XPTTM IGBT  
GenX3TM w/ Diode  
VCES = 1200V  
IC110 = 17A  
VCE(sat)  3.4V  
tfi(typ) = 108ns  
IXYT20N120C3D1HV  
High-Speed IGBT  
for 20-50 kHz Switching  
TO-268HV  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
1200  
1200  
V
V
G
TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1M  
E
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
C (Tab)  
G = Gate  
E = Emitter  
C
= Collector  
IC25  
IC110  
IF110  
TC = 25°C  
TC = 110°C  
TC = 110°C  
36  
17  
20  
A
A
A
Tab = Collector  
ICM  
TC = 25°C, 1ms  
88  
A
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
10  
A
400  
mJ  
Features  
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 10  
Clamped Inductive Load  
ICM = 40  
A
Optimized for Low Switching Losses  
Square RBSOA  
Positive Thermal Coefficient of  
Vce(sat)  
High Voltage Package  
Anti-Parallel Ultra Fast Diode  
Avalanche Rated  
(RBSOA)  
@VCE VCES  
PC  
TC = 25°C  
230  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
-55 ... +150  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Advantages  
Weight  
4
g
High Power Density  
Low Gate Drive Requirement  
Applications  
High Frequency Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
Lamp Ballasts  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
1200  
3.0  
Typ.  
Max.  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250A, VGE = 0V  
IC = 250A, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
5.0  
25 A  
TJ = 125C  
TJ = 150C  
350 μA  
IGES  
VCE = 0V, VGE = 20V  
100 nA  
VCE(sat)  
IC = 20A, VGE = 15V, Note 1  
3.4  
V
V
4.0  
© 2013 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100514B(8/13)  
12345678

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与IXYT20N120C3D1HV相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXYT30N450HV LITTELFUSE

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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYT30N65C3H1HV LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYT40N120A4HV LITTELFUSE

获取价格

 		通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达
IXYT55N120A4HV LITTELFUSE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXYT80N90C3 IXYS

获取价格

 		XPTTM 900V IGBT
IXYT80N90C3 LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
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 		通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达
IXYX100N120B3 IXYS

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 225A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,
IXYX100N120B3 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYX100N120C3 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT

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