型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXYT12N250CV1HV | LITTELFUSE |
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这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发,具有低热阻、低尾电流、 | |
IXYT20N120C3D1HV | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT | |
IXYT30N450HV | LITTELFUSE |
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这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发,具有低热阻、低尾电流、 | |
IXYT30N65C3H1HV | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT | |
IXYT40N120A4HV | LITTELFUSE |
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通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程,这些高达 | |
IXYT55N120A4HV | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, | |
IXYT80N90C3 | IXYS |
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XPTTM 900V IGBT | |
IXYT80N90C3 | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT | |
IXYT85N120A4HV | LITTELFUSE |
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通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程,这些高达 | |
IXYX100N120B3 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 225A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, |