Datasheet > IXYR50N120C3D1

IXYR50N120C3D1

更新时间： 2024-11-19 14:56:51

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	215K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。它们具有正集电

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXYR50N120C3D1 数据手册

1200V XPT^TMIGBT

GenX3^TMw/ Diode

V_CES= 1200V

I_C90= 32A

IXYR50N120C3D1

V_CE(sat) 3.5V

t_fi(typ)= 43ns

(Electrically Isolated Tab)

High-Speed IGBT

for 20-50 kHz Switching

ISOPLUS247^TM

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1200

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1M

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

Isolated Tab

I_C25

I_C90

I_F110

T_C= 25°C (Chip Capability)

T_C= 90°C

T_C= 110°C

G = Gate

E = Emitter

= Collector

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

210

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 5

I_CM= 100

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

@V_CE V_CES

P_C

T_C= 25°C

290

Features

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

°C



Silicon Chip on Direct-Copper Bond

(DCB) Substrate

Isolated Mounting Surface

2500V~ Electrical Isolation

Optimized for Low Switching Losses

Square RBSOA

-55 ... +150



T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



V_ISOL

50/60 Hz, 1 Minute

Mounting Force

2500

Positive Thermal Coefficient of

Vce(sat)

F_C

20..120/4.5..27

N/lb.



Anti-Parallel Ultra Fast Diode

High Current Handling Capability

International Standard Package

Weight

Advantages



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

High Power Density

Low Gate Drive Requirement



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1200

3.0

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

5.0

Applications

50 A

500 μA



High Frequency Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts

T_J= 125C

T_J= 150C



I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

100 nA



V_CE(sat)

I_C= 50A, V_GE= 15V, Note 1

3.5



4.2



DS100492B(3/16)

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与IXYR50N120C3D1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXYT12N250CV1HV	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYT20N120C3D1HV	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYT30N450HV	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYT30N65C3H1HV	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYT40N120A4HV	LITTELFUSE	获取价格	通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达
IXYT55N120A4HV	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXYT80N90C3	IXYS	获取价格	XPTTM 900V IGBT
IXYT80N90C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYT85N120A4HV	LITTELFUSE	获取价格	通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达
IXYX100N120B3	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 225A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,

与IXYR50N120C3D1相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

36

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXYR50N120C3D1

IXYR50N120C3D1 数据手册

与IXYR50N120C3D1相关器件

与IXYR50N120C3D1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXYR50N120C3D1

IXYR50N120C3D1 数据手册

与IXYR50N120C3D1相关器件

与IXYR50N120C3D1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？