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IXYP8N90C3

更新时间： 2024-11-06 01:19:51

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IXYS		双极性晶体管
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6页	178K
描述
900V XPTTM IGBT

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IXYP8N90C3 数据手册

900V XPT^TMIGBT

GenX3^TM

V_CES= 900V

I_C110= 8A

V_CE(sat) 3.0V

t_fi(typ)= 130ns

IXYY8N90C3

IXYP8N90C3

High-Speed IGBT

for 20-50 kHz Switching

TO-252 (IXYY)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

900

C (Tab)

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

TO-220 (IXYP)

I_C25

I_C110

T_C= 25°C

T_C= 110°C

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

C (Tab)

I_A

E_AS

T_C= 25°C

G = Gate

E = Emitter

= Collector

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 30

Clamped Inductive Load

I_CM= 16

Tab = Collector

(RBSOA)

@V_CE V_CES

P_C

T_C= 25°C

125

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C

Features



-55 ... +175

Optimized for Low Switching Losses

Square RBSOA

Positive Thermal Coefficient of

Vce(sat)



T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



Avalanche Rated

M_d

Mounting Torque (TO-220)

1.13/10

Nm/lb.in.

International Standard Packages

Weight

TO-252

TO-220

0.35

3.00

Advantages



High Power Density

Low Gate Drive Requirement



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

950

3.5

Typ.

Max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V



High Frequency Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

6.0



10 A

150 μA



T_J= 150C



I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

100 nA



V_CE(sat)

I_C= 8A, V_GE= 15V, Note 1

2.15

2.75

3.00



Lamp Ballasts

DS100399B(12/14)

12 3 4 5 6

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IXYP8N90C3D1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYQ40N65B3D1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYQ40N65C3D1	IXYS	获取价格	Advance Technical Information
IXYQ40N65C3D1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYR100N120C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYR50N120C3D1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYT12N250CV1HV	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYT20N120C3D1HV	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYT30N450HV	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、

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