是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-220AB | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.84 | 其他特性: | LOW CONDUCTION LOSS |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 100 A |
集电极-发射极最大电压: | 600 V | 配置: | SINGLE |
门极发射器阈值电压最大值: | 6.5 V | 门极-发射极最大电压: | 20 V |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 300 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Insulated Gate BIP Transistors |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | POWER CONTROL |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称断开时间 (toff): | 500 ns |
标称接通时间 (ton): | 76 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXGP50N60C4 | IXYS |
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High-Gain IGBTs | |
IXGP7N60B | IXYS |
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HiPerFAST IGBT | |
IXGP7N60BD1 | IXYS |
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HiPerFAST IGBT with Diode | |
IXGP7N60C | IXYS |
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HiPerFAST IGBT Lightspeed Series | |
IXGP7N60CD1 | IXYS |
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HiPerFAST IGBT with Diode Lightspeed Series | |
IXGP8N100 | IXYS |
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IXGA8N100 | |
IXGP8N100 | LITTELFUSE |
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IXYS系列穿通型(PT)IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 | |
IXGQ100N100Y3 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 100A I(C) | |
IXGQ100N50Y4 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 500V V(BR)CES | 100A I(C) | |
IXGQ100N60Y4 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 100A I(C) |