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IXGP4N100 PDF预览

IXGP4N100

更新时间： 2024-11-18 03:14:35
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IXYS /
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2页 107K
描述
ADVANCED TECHNICAL INFORMATION

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IXGP4N100 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Transferred
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.73最大集电极电流 (IC)：8 A
集电极-发射极最大电压：1000 V配置：SINGLE
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：1220 ns标称接通时间 (ton)：45 ns
Base Number Matches：1

IXGP4N100 数据手册

 浏览型号IXGP4N100的Datasheet PDF文件第2页 
Advanced Technical Information  
IXGA 4N100  
IXGP 4N100  
VCES = 1000 V  
IC25 8 A  
VCE(sat) = 2.7 V  
IGBT  
=
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
1000  
1000  
V
V
TO-220AB(IXGP)  
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MW  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
G
C
E
IC25  
IC90  
ICM  
TC = 25°C  
8
4
A
A
A
TC = 90°C  
TC = 25°C, 1 ms  
16  
TO-263AA(IXGA)  
SSOA  
VGE = 15 V, TVJ = 125°C, RG = 120 W  
ICM = 8  
A
(RBSOA)  
Clamped inductive load  
@ 0.8 VCES  
G
E
C (TAB)  
PC  
TC = 25°C  
40  
W
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
Maximum lead temperature for soldering  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
300  
°C  
Features  
•International standard packages  
JEDEC TO-220AB and TO-263AA  
•High current handling capability  
•MOS Gate turn-on  
Md  
Mounting torque with screw M3  
Mounting torque with screw M3.5  
0.45/4 Nm/lb.in.  
0.55/5 Nm/lb.in.  
Weight  
TO-220  
TO-263  
4
2
g
g
- drive simplicity  
Applications  
• AC motor speed control  
• DC servo and robot drives  
• DC choppers  
Symbol  
TestConditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
• Uninterruptible power supplies (UPS)  
• Switch-mode and resonant-mode  
power supplies  
BVCES  
VGE(th)  
IC = 250 mA, VGE = 0 V  
IC = 100 mA, VCE = VGE  
1000  
2.5  
V
V
5.0  
• Capacitor discharge  
ICES  
VCE= 0.8 • VCES  
VGE = 0 V  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
25  
mA  
mA  
250  
Advantages  
IGES  
VCE = 0 V, VGE = ±20 V  
±100  
nA  
V
• Easy to mount with one screw  
• Reduces assembly time and cost  
• High power density  
VCE(sat)  
IC = ICE90, VGE = 15V  
2.2  
2.7  
© 2000 IXYS All rights reserved  
98735 (7/00)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXGP50N33TBM-A LITTELFUSE

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