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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.29 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 30 A | 集电极-发射极最大电压： | 330 V |
| 配置： | SINGLE | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 344 ns | 标称接通时间 (ton)： | 45 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGP50N60B4 | IXYS |
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High-Gain IGBTs |
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| IXGP50N60C4 | IXYS |
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High-Gain IGBTs |
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| IXGP7N60B | IXYS |
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HiPerFAST IGBT |
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| IXGP7N60BD1 | IXYS |
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HiPerFAST IGBT with Diode |
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| IXGP7N60C | IXYS |
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HiPerFAST IGBT Lightspeed Series |
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| IXGP7N60CD1 | IXYS |
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HiPerFAST IGBT with Diode Lightspeed Series |
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| IXGP8N100 | IXYS |
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IXGA8N100 |
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| IXGP8N100 | LITTELFUSE |
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IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 |
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| IXGQ100N100Y3 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 100A I(C) |
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| IXGQ100N50Y4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 500V V(BR)CES | 100A I(C) |
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