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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.65 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 48 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE |
| 最大降落时间（tf）： | 200 ns | 门极发射器阈值电压最大值： | 5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 347 ns | 标称接通时间 (ton)： | 44 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGP48N60C3 | IXYS |
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GenX3 600V IGBT |
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| IXGP48N60C3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
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| IXGP4N100 | IXYS |
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ADVANCED TECHNICAL INFORMATION |
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| IXGP50N33TBM-A | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 330V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, PLASTIC, |
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| IXGP50N60B4 | IXYS |
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High-Gain IGBTs |
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| IXGP50N60C4 | IXYS |
获取价格 |
High-Gain IGBTs |
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| IXGP7N60B | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST IGBT |
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| IXGP7N60BD1 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST IGBT with Diode |
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| IXGP7N60C | IXYS |
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HiPerFAST IGBT Lightspeed Series |
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| IXGP7N60CD1 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST IGBT with Diode Lightspeed Series |
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