Datasheet > IXGP30N60C3C1

IXGP30N60C3C1

更新时间： 2024-11-06 14:56:19

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	346K
描述
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 300V? GenX3? IGBT提供高达150 kHz的开关性能，电流范围在42A至120A之间。由于兼具

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXGP30N60C3C1 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.63
Base Number Matches：	1

IXGP30N60C3C1 数据手册

GenX3^TM600V IGBTs

w/ SiC Anti-Parallel

Diode

V_CES= 600V

I_C110= 30A

V_CE(sat)≤ 3.0V

t_fi(typ)= 47ns

IXGA30N60C3C1*

IXGP30N60C3C1

IXGH30N60C3C1

*Obsolete Part Number

TO-263 AA (IXGA)

High-Speed PT IGBTs for

40 - 100kHz Switching

C(Tab)

Symbol Test Conditions

Maximum Ratings

TO-220AB(IXGP)

V_CES

V_CGR

T_C= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

C(Tab)

I_C25

I_C110

I_F110

I_CM

T_C= 25°C

TO-247(IXGH)

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

150

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 5Ω

I_CM= 60

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

@ ≤ V_CES

C(Tab)

P_C

T_C= 25°C

220

T_J

-55 ... +150

150

°C

G = Gate

S = Emitter

= Collector

T_JM

T_stg

Tab = Collector

-55 ... +150

Features

T_L

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

T_SOLD

^ꢀOptimized for Low Switching Losses

^ꢀSquareRBSOA

^ꢀAnti-Parallel Schottky Diode

^ꢀInternational Standard Packages

M_d

Mounting Torque (TO-220 & TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

Advantages

^ꢀHigh Power Density

^ꢀLow Gate Drive Requirement

Symbol Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Applications

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

3.0

5.5

^ꢀHigh Frequency Power Inverters

^ꢀUPS

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

25 μA

300 μA

T_J= 125°C

^ꢀMotorDrives

^ꢀSMPS

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

±100 nA

^ꢀPFCCircuits

V_CE(sat)

I_C= 20A, V_GE= 15V, Note 1

2.6

1.8

3.0

^ꢀBatteryChargers

^ꢀWeldingMachines

^ꢀLampBallasts

DS100142B(05/11)

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与IXGP30N60C3C1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGP30N60C3D4	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT With Diode
IXGP30N60C3D4	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGP36N60A3	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT
IXGP36N60A3	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXGP36N60A3_09	IXYS	获取价格	600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
IXGP42N30C3	IXYS	获取价格	GenX3 300V IGBT
IXGP48N60A3	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT
IXGP48N60A3	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGP48N60B3	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT
IXGP48N60B3	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30