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IXGP30N60C3 PDF预览

IXGP30N60C3

更新时间： 2024-02-25 15:19:32
品牌 Logo 应用领域
IXYS 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 269K
描述
GenX3 600V IGBT

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IXGP30N60C3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220AB
包装说明：PLASTIC, TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：8.59
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：60 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：5.5 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：220 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：160 ns
标称接通时间 (ton)：45 ns

IXGP30N60C3 数据手册

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IXGA30N60C3 IXGP30N60C3  
IXGH30N60C3  
Fig. 13. Inductive Switching  
Energy Loss vs. Collector Current  
Fig. 12. Inductive Switching  
Energy Loss vs. Gate Resistance  
0.6  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0.0  
1.2  
0.8  
0.7  
0.6  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
E
E
on - - - -  
off  
RG = 5  
E
E
on - - - -  
TJ = 125ºC , VGE = 15V  
CE = 300V  
off  
VGE = 15V  
ꢀ ,  
CE = 300V  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0.0  
V
V
I C = 40A  
TJ = 125ºC  
TJ = 25ºC  
I C = 20A  
10  
15  
20  
25  
30  
35  
40  
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
20  
RG - Ohms  
IC - Amperes  
Fig. 15. Inductive Turn-off  
Switching Times vs. Gate Resistance  
Fig. 14. Inductive Switching  
Energy Loss vs. Junction Temperature  
180  
170  
160  
150  
140  
130  
120  
110  
100  
90  
140  
0.7  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0.0  
E
E
on - - - -  
RG = 5ꢀ VGE = 15V  
t f  
td(off)  
- - - -  
130  
120  
110  
100  
90  
off  
0.6  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0
TJ = 125ºC, GE = 15V  
V
,
VCE = 300V  
CE = 300V  
V
I C = 40A  
I C = 40A  
80  
70  
I C = 20A  
60  
I C = 20A  
50  
80  
40  
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
20  
25  
35  
45  
55  
65  
75  
85  
95 105 115 125  
RG - Ohms  
TJ - Degrees Centigrade  
Fig. 17. Inductive Turn-off  
Switching Times vs. Junction Temperature  
Fig. 16. Inductive Turn-off  
Switching Times vs. Collector Current  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
110  
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
160  
140  
120  
100  
80  
90  
t f  
RG = 5ꢀ , VGE = 15V  
td(off) - - - -  
tf  
RG = 5Ω , VGE = 15V  
td(off)  
- - - -  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
VCE = 300V  
VCE = 300V  
TJ = 125ºC  
I
= 40A, 20A  
C
60  
60  
40  
TJ = 25ºC  
40  
20  
20  
0
25  
35  
45  
55  
65  
75  
85  
95 105 115 125  
10  
15  
20  
25  
30  
35  
40  
TJ - Degrees Centigrade  
IC - Amperes  
© 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved  
123456

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