5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | PLASTIC, TO-220, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 8.59 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 60 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 5.5 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 220 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 160 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 45 ns |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IXGP30N60C3C1 | IXYS | GenX3TM 600V IGBT w/ SiC Anti-Parallel Diode |
获取价格 |
|
| IXGP30N60C3C1 | LITTELFUSE | GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
获取价格 |
|
| IXGP30N60C3D4 | IXYS | GenX3 600V IGBT With Diode |
获取价格 |
|
| IXGP30N60C3D4 | LITTELFUSE | GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
获取价格 |
|
| IXGP36N60A3 | IXYS | GenX3 600V IGBT |
获取价格 |
|
| IXGP36N60A3 | LITTELFUSE | Insulated Gate Bipolar Transistor, |
获取价格 |
|
深入解析CS8416引脚说明、参数、技术特点
TPA3116D2功放芯片参数详解、引脚说明
移位寄存器74HC165引脚说明、驱动程序示例解读
深入解析AD9833：DDS频率合成器的卓越性能与广泛应用
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
