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IXGP30N60C3D4

更新时间： 2024-11-19 14:56:15

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		局域网开关栅双极性晶体管功率控制
页数	文件大小	规格书
8页	414K
描述
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 300V? GenX3? IGBT提供高达150 kHz的开关性能，电流范围在42A至120A之间。由于兼具

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IXGP30N60C3D4 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.63	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	60 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	220 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	160 ns	标称接通时间 (ton)：	45 ns
Base Number Matches：	1

IXGP30N60C3D4 数据手册

GenX3^TM600V IGBTs

w/Diode

V_CES= 600V

I_C110= 30A

V_CE(sat)≤ 3.0V

t_fi(typ)= 47ns

IXGA30N60C3D4*

IXGP30N60C3D4

*Obsolete Part Number

High-Speed PT IGBTs for

40-100kHz Switching

TO-263 AA (IXGA)

Symbol Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_C= 25°C to 150°C

600

C(Tab)

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

TO-220AB(IXGP)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

150

C(Tab)

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 5Ω

I_CM= 60

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

@ ≤ V_CES

G = Gate

= Collector

S = Emitter

Tab = Collector

P_C

T_C= 25°C

220

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

Features

-55 ... +150

ꢀ

Optimized for Low Switching Losses

SquareRBSOA

Anti-Parallel Ultra Fast Diode

International Standard Packages

T_L

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

ꢀ

T_SOLD

M_d

Mounting Torque (TO-220)

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

TO-220

TO-263

2.5

3.0

Advantages

ꢀ

High Power Density

Low Gate Drive Requirement

ꢀ

Symbol Test Conditions

Characteristic Values

Applications

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

600

4.0

Typ.

Max.

ꢀ

PowerInverters

UPS

MotorDrives

SMPS

PFCCircuits

BatteryChargers

WeldingMachines

LampBallasts

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

ꢀ

5.5

ꢀ

75 μA

500 μA

ꢀ

T_J= 125°C

ꢀ

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

±100 nA

ꢀ

V_CE(sat)

I_C= 20A, V_GE= 15V, Note 1

2.6

1.8

3.0

ꢀ

High Frequency Power Inverters

DS100073A(05/11)

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXGP36N60A3_09	IXYS	获取价格	600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
IXGP42N30C3	IXYS	获取价格	GenX3 300V IGBT
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IXGP48N60A3	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGP48N60B3	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT
IXGP48N60B3	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
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