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STP40NF12

更新时间： 2024-10-31 22:19:19
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲栅局域网
页数 文件大小 规格书
8页 285K
描述
N-CHANNEL 120V - 0.028W - 40A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET

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STP40NF12 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
零件包装代码：TO-220AB包装说明：ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：8.47
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：150 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：120 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：40 A最大漏极电流 (ID)：40 A
最大漏源导通电阻：0.032 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：150 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：160 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STP40NF12 数据手册

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STP40NF12  
N-CHANNEL 120V - 0.028Ω - 40A TO-220  
LOW GATE CHARGE STripFET™ II POWER MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STP40NF12  
120 V  
< 0.032 Ω  
40 A  
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.028Ω  
DS  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
APPLICATION ORIENTED  
CHARACTERIZATION  
3
2
1
TO-220  
DESCRIPTION  
This Power MOSFET series realized with STMicro-  
electronics unique STripFET process has specifical-  
ly been designed to minimize input capacitance and  
gate charge. It is therefore suitable as primary  
switch in advanced high-efficiency isolated DC-DC  
converters for Telecom and Computer application. It  
is also intended for any application with low gate  
charge drive requirements.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
HIGH-EFFICIENCY DC-DC CONVERTERS  
■
UPS AND MOTOR CONTROL  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
120  
120  
± 20  
40  
Unit  
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
V
V
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
V
GS  
I
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
A
D
C
I
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
28  
A
D
C
I
( )  
Drain Current (pulsed)  
160  
150  
1
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
TOT  
C
Derating Factor  
W/°C  
V/ns  
mJ  
dv/dt (1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Single Pulse Avalanche Energy  
Storage Temperature  
14  
E
(2)  
150  
AS  
T
stg  
– 55 to 175  
°C  
T
Operating Junction Temperature  
j
(●) Pulse width limited by safe operating area  
(1) I ≤40A, di/dt ≤600A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
j JMAX.  
SD  
DD  
(BR)DSS  
(2) Starting T = 25°C, I = 40A, V = 50V  
j
D
DD  
October 2003  
1/8  
12345678

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STP40NF12 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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STP42N65M5 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 650 V, 0.070 Ω, 33 A MDmesh™ V P
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 		N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
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 		N沟道600 V、0.085 Ohm典型值、34 A MDmesh DM2功率MOSFET
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 		STP4403 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produce

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