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STP45NF3LL

更新时间： 2024-11-22 22:31:27
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
11页 529K
描述
N-CHANNEL 30V - 0.014ohm - 45A TO-220 - TO220FP - D2PAK STripFET II⑩ POWER MOSFET

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STP45NF3LL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.81
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：241 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：45 A最大漏极电流 (ID)：45 A
最大漏源导通电阻：0.02 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：70 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：180 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STP45NF3LL 数据手册

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STP45NF3LL - STP45NF3LLFP  
STB45NF3LL  
N-CHANNEL 30V - 0.014Ω - 45A TO-220 - TO220FP - D2PAK  
STripFET II™ POWER MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STP45NF3LL  
STP45NF3LLFP  
STB45NF3LL  
30 V  
30 V  
30 V  
<0.018Ω  
<0.018Ω  
<0.018Ω  
45 A  
45 A  
27 A  
3
3
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.014Ω @4.5V  
DS  
2
1
1
OPTIMAL RDS(ON) x Qg TRADE-OFF @ 4.5V  
CONDUCTION LOSSES REDUCED  
SWITCHING LOSSES REDUCED  
ADD SUFFIX “T4” FOR ORDERING IN TAPE &  
REEL  
2
TO-220  
D PAK  
3
2
1
TO-220FP  
DESCRIPTION  
This application specific Power MOSFET is the  
third genaration of STMicroelectronics unique  
“Single Feature Size™” strip-based process. The  
resulting transistor shows the best trade-off be-  
tween on-resistance ang gate charge. When used  
as high and low side in buck regulators, it gives the  
best performance in terms of both conduction and  
switching losses. This is extremely important for  
motherboards where fast switching and high effi-  
ciency are of paramount importance.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
SPECIFICALLY DESIGNED AND OPTIMISED  
FOR HIGH EFFICIENCY DC/DC  
CONVERTERS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
2
TO-220FP  
TO-220/D PAK  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
30  
30  
V
V
V
A
A
A
W
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
± 16  
GS  
I
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
45  
32  
27  
19  
D
C
I
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
D
C
I
( )  
Drain Current (pulsed)  
180  
70  
108  
25  
DM  
P
TOT  
Total Dissipation at T = 25°C  
C
Derating Factor  
0.46  
0.167  
W/°C  
mJ  
V
E
AS  
(1)  
Single Pulse Avalanche Energy  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
241  
Viso  
--  
2500  
T
stg  
– 55 to 175  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
N(●o)vPeumlsebewrid2th00lim2ited by safe operating area  
1/11  
(1) Starting T = 25°C, I = 22.5A, V = 24V  
j
D
DD  
1234567...11

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STP45NF3LL 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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