5秒后页面跳转
| 品牌 | Logo | 应用领域 |
| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
/ |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 20页 | 996K |  |
| 描述 | ||
| N沟道300 V、0.063 Ohm典型值、42 A STripFET(TM) II功率MOSFET，TO-220封装 | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 12 weeks |
| 风险等级： | 1.71 | 雪崩能效等级（Eas）： | 290 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 300 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 42 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 42 A | 最大漏源导通电阻： | 0.075 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 168 A |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP47 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | TO-220AB |
|
| STP48 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | TO-220AB |
|
| STP4803 | STANSON |
获取价格 |
STP4803 is the dual P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which i |
|
| STP-48AMP10 | POWERVOLT |
获取价格 |
The Power Supply for Stepping Motors |
|
| STP-48AMP5 | POWERVOLT |
获取价格 |
The Power Supply for Stepping Motors |
|
| STP49 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | TO-220AB |
|
| STP4925 | STANSON |
获取价格 |
STP4925 is the dual P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which i |
|
| STP4925A | UMW |
获取价格 |
种类:P+P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25 |
|
| STP4931 | STANSON |
获取价格 |
STP4931 is the dual P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are pr |
|
| STP4953 | STANSON |
获取价格 |
Dual P Channel Enhancement Mode MOSFET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
