5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STP4NA100
STP4NA100 PDF预览

STP4NA100

更新时间： 2024-11-22 22:16:27
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
5页 80K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

STP4NA100 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.12雪崩能效等级（Eas）：160 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.2 A最大漏极电流 (ID)：4.2 A
最大漏源导通电阻：3.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：125 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：16.8 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STP4NA100 数据手册

 浏览型号STP4NA100的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STP4NA100的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STP4NA100的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STP4NA100的Datasheet PDF文件第5页 
STP4NA100  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
FAST POWER MOS TRANSISTOR  
PRELIMINARY DATA  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
<3. 5 Ω  
ID  
STP4NA100  
1000 V  
4.2 A  
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 2.9 Ω  
± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING  
100% AVALANCHE TESTED  
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
REDUCED THRESHOLD VOLTAGE SPREAD  
2
1
DESCRIPTION  
This series of POWER MOSFETS represents  
the most advanced high voltage technology.  
The optmized cell layout coupled with a new  
proprietary edge termination concur to give  
the device low RDS(on) and gate charge,  
TO-220  
unequalled  
ruggedness  
and  
superior  
switching performance.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Parameter  
Value  
1000  
1000  
± 30  
4.2  
Unit  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
V
V
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
A
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
2.6  
A
I
DM(•)  
Drain Current (pulsed)  
16.8  
125  
A
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
W
Derating Factor  
1
W/oC  
oC  
oC  
Tstg  
Tj  
Storage Temperature  
-65 to 150  
150  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/5  
October 1997  
12345

中文翻译

下载PDF

与STP4NA100相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP4NA40 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STP4NA40F1 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STP4NA40FI STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STP4NA60 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STP4NA60FI STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STP4NA60FP STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STP4NA80 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STP4NA80FI STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STP4NA90 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STP4NA90FI STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR

与STP4NA100相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证