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STP4NB50FP

更新时间： 2024-11-22 22:16:27
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 165K
描述
N-CHANNEL 500V - 2.5ohm - 3.8A - TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩ MOSFET

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STP4NB50FP 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220FP, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.23Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：220 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.5 A最大漏极电流 (ID)：2.5 A
最大漏源导通电阻：2.8 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：35 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：15.2 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STP4NB50FP 数据手册

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STP4NB50  
STP4NB50FP  
N-CHANNEL 500V - 2.5Ω - 3.8A - TO-220/TO-220FP  
PowerMesh™ MOSFET  
PRELIMINARY DATA  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STP4NB50  
STP4NB50FP  
500 V  
500 V  
< 2.8 Ω  
< 2.8 Ω  
3.8 A  
2.5 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 2.5 Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
3
2
2
1
1
TO-220  
TO-220FP  
DESCRIPTION  
Using the latest high voltage MESH OVERLAY™  
process, STMicroelectronics has designed an ad-  
vanced family of power MOSFETs with outstanding  
performances. The new patent pending strip layout  
coupled with the Company’s proprieraty edge termi-  
nation structure, gives the lowest RDS(on) per area,  
exceptional avalanche and dv/dt capabilities and  
unrivalled gate charge and switching characteris-  
tics.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
STP4NB50FP  
Unit  
STP4NB50  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
500  
500  
±30  
V
V
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
V
GS  
I
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
3.8  
2.4  
2.5  
1.6  
A
D
C
I
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
A
D
C
I
( )  
Drain Current (pulsed)  
15.2  
80  
15.2  
35  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
TOT  
C
Derating Factor  
0.64  
0.28  
W/°C  
V/ns  
V
dv/dt  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
4.5  
V
ISO  
-
2500  
T
stg  
–65 to 150  
150  
°C  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•)Pulse width limited by safe operating area  
April 2003  
(1)I ≤4 A, di/dt ≤200A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
j JMAX  
SD  
DD  
(BR)DSS  
1/7  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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