5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | TO-220FP, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.6 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 120 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3 A | 最大漏极电流 (ID)： | 3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2.7 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 12 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STP6NK60ZFP | STMICROELECTRONICS |
类似代替  |
N-CHANNEL 600V - 1ohm - 6A TO-220/TO-220FP/D2 |
|
| STP4NK60ZFP | STMICROELECTRONICS |
类似代替 |
N-CHANNEL600V-1.76ohm-4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/D |
|
| STP10NK60ZFP | STMICROELECTRONICS |
类似代替 |
N-CHANNEL 600V-0.65ohm-10A TO-220/FP/D2PAK/I2 |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP4NK60Z | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL600V-1.76ohm-4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/D |
|
| STP4NK60ZFP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL600V-1.76ohm-4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/D |
|
| STP4NK80Z | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 800V - 3ohm - 3A TO-220/TO-220FP/DP |
|
| STP4NK80Z_06 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 800V - 3ヘ - 3A - TO-220/TO-220FP/DP |
|
| STP4NK80ZFP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 800V - 3ohm - 3A TO-220/TO-220FP/DP |
|
| STP4NM60 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V - 1.3ohm - 3A TO-220/DPAK/IPAK |
|
| STP4NM60_09 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V, 1.3 Ω, 3 A TO-220, DPAK, IPA |
|
| STP50 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | TO-220AB |
|
| STP5010AMBUS50 | ETC |
获取价格 |
Microprocessor |
|
| STP5011BMBUS50 | ETC |
获取价格 |
Microprocessor |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
