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STP4NC80Z

更新时间： 2024-11-22 22:16:27
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
13页 527K
描述
N-CHANNEL 800V - 2.4ohm - 4A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET

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STP4NC80Z 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.84雪崩能效等级（Eas）：225 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 A最大漏极电流 (ID)：4 A
最大漏源导通电阻：2.8 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：100 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：16 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

STP4NC80Z 数据手册

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STP4NC80Z - STP4NC80ZFP  
STB4NC80Z - STB4NC80Z-1  
N-CHANNEL 800V - 2.4Ω - 4A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK  
Zener-Protected PowerMESH™III MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STP4NC80Z/FP  
STB4NC80Z/-1  
800V  
800V  
< 2.8 Ω  
< 2.8 Ω  
4 A  
4 A  
3
1
2
■
■
TYPICAL R (on) = 2.4 Ω  
DS  
3
D PAK  
2
EXTREMELY HIGH dv/dt AND CAPABILITY  
GATE-TO- SOURCE ZENER DIODES  
100% AVALANCHE TESTED  
VERY LOW GATE INPUT RESISTANCE  
GATE CHARGE MINIMIZED  
1
TO-220  
TO-220FP  
■
■
■
3
2
1
2
I PAK  
DESCRIPTION  
(Tabless TO-220)  
The third generation of MESH OVERLAY™ Power  
MOSFETs for very high voltage exhibits unsurpassed  
on-resistance per unit area while integrating back-to-  
back Zener diodes between gate and source. Such ar-  
rangement gives extra ESD capability with higher rug-  
gedness performance as requested by a large variety  
of single-switch applications.  
APPLICATIONS  
■
SINGLE-ENDED SMPS IN MONITORS,  
COMPUTER AND INDUSTRIAL APPLICATION  
WELDING EQUIPMENT  
■
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP(B)4NC80Z(-1) STP4NC80ZFP  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
800  
800  
± 25  
V
V
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
V
GS  
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
4
4(*)  
2.5(*)  
16(*)  
35  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
2.5  
16  
A
D
C
I
( )  
●
Drain Current (pulsed)  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
100  
0.8  
W
TOT  
C
Derating Factor  
0.28  
W/°C  
mA  
KV  
V/ns  
V
I
Gate-source Current  
±50  
2.5  
3
GS  
V
Gate source ESD(HBM-C=100pF, R=15KΩ)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Insulation Winthstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
ESD(G-S)  
dv/dt(1)  
V
ISO  
--  
2000  
T
stg  
–65 to 150  
150  
°C  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•)Pulse width limited by safe operating area  
December 2002  
(1)I ≤4A, di/dt ≤100A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
j JMAX  
SD  
DD  
(BR)DSS  
(*)Pulse width Limited by maximum temperature allowed  
1/13  
.
1234567...13

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与STP4NC80Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP4NC80ZFP STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 800V - 2.4ohm - 4A TO-220/FP/D2PAK/
STP4NK50Z STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 500V - 2.4ohm - 3A TO-220/TO-220FP/
STP4NK50ZD STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 500V - 2.4ヘ - 3A - TO-220 - TO-220F
STP4NK50ZFP STMICROELECTRONICS

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