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STP4NA80

更新时间： 2024-11-22 22:16:27
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 203K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR

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STP4NA80  
STP4NA80FI  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
FAST POWER MOS TRANSISTOR  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STP4NA80  
STP4NA80FI  
800 V  
800 V  
< 3 Ω  
< 3 Ω  
4 A  
2.5 A  
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 2.4 Ω  
± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING  
100% AVALANCHE TESTED  
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
GATE GHARGE MINIMIZED  
3
3
2
2
1
1
REDUCED THRESHOLD VOLTAGE SPREAD  
TO-220  
ISOWATT220  
DESCRIPTION  
This series of POWER MOSFETS represents the  
most advanced high voltage technology. The  
optimized cell layout coupled with  
a new  
proprietary edge termination concur to give the  
device low RDS(on) and gate charge, unequalled  
ruggedness and superior switching performance.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP4NA80  
STP4NA80FI  
VDS  
VDG R  
VGS  
ID  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain-gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
800  
800  
± 30  
V
V
V
4
2.5  
1.6  
A
ID  
2.5  
16  
A
IDM(•)  
Ptot  
16  
A
Total Dissipation at Tc = 25 oC  
110  
0.88  
45  
W
W/oC  
V
oC  
oC  
Derating Factor  
0.36  
2000  
VISO  
Tstg  
Tj  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
-65 to 150  
150  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/10  
February 1994  
1234567...10

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