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STP4NB100

更新时间： 2024-11-22 22:16:27
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 112K
描述
N - CHANNEL 1000V - 4ohm - 3.8A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET

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STP4NB100 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.58
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：360 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.8 A最大漏极电流 (ID)：3.8 A
最大漏源导通电阻：4.4 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：125 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：15.2 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STP4NB100 数据手册

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STP4NB100  
STP4NB100FP  
N - CHANNEL 1000V - 4Ω - 3.8A - TO-220/TO-220FP  
PowerMESH MOSFET  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STP4NB100  
STP4NB100FP  
1000 V  
1000 V  
< 4.4 Ω  
< 4.4  
Ω
3.8 A  
3.8 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 4  
Ω
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
3
2
2
1
1
DESCRIPTION  
Using the latest high voltage MESH OVERLAY  
process, STMicroelectronics has designed an  
advanced family of power MOSFETs with  
outstanding performances. The new patent  
pending strip layout coupled with the Company’s  
proprietary edge termination structure, gives the  
lowest RDS(on) per area, exceptional avalanche  
and dv/dt capabilities and unrivalled gate charge  
and switching characteristics.  
TO-220  
TO-220FP  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP4NB100 STP4NB100FP  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
1000  
1000  
± 30  
V
V
V
A
A
A
W
W/oC  
V/ns  
V
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
3.8  
2.4  
15.2  
125  
1
3.8(*)  
2.4(*)  
15.2  
40  
ID  
IDM(• )  
Ptot  
o
Total Dissipation at Tc = 25 C  
Derating Factor  
0.32  
4
dv/dt(1) Peak Diode Recovery voltage slope  
4
VISO  
Tstg  
Tj  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
2000  
-65 to 150  
150  
oC  
oC  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
( 1) ISD ≤ 3.8A, di/dt ≤ 200 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX  
*
( ) Limited only by maximum temperature allowed  
1/9  
October 1999  
1234567...9

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STP4NB100 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STP8NK100Z STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-CHANNEL 1000V - 1.60OHM - 6.5A - TO-220 - TO-220FP Zener-Protected SuperMESH TM MOSFET
STP5NK100Z STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-CHANNEL 1000V - 2.7W - 3.5A TO-220/TO-220FP/TO-247 Zener-Protected SuperMESHTM MOSFET
STP55NF06 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP4NB100FP STMICROELECTRONICS

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STP4NB30 STMICROELECTRONICS

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STP4NB30FP STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 300V - 1.8ohm - 4A - TO-220/TO-220F
STP4NB50 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 500V - 2.5ohm - 3.8A - TO-220/TO-22
STP4NB50FP STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 500V - 2.5ohm - 3.8A - TO-220/TO-22
STP4NB80 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL 800V - 3ohm - 4A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET
STP4NB80FP STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL 800V - 3ohm - 4A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET
STP4NC50 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 500V - 2.2ohm - 4A TO-220/TO-220FP PowerMeshII MOSFET
STP4NC50FP STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 500V - 2.2ohm - 4A TO-220/TO-220FP PowerMeshII MOSFET
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