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STP4NB30

更新时间： 2024-11-08 22:16:27
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 333K
描述
N-CHANNEL 300V - 1.8ohm - 4A - TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩ MOSFET

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STP4NB30 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.61
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：150 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：300 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 A最大漏极电流 (ID)：4 A
最大漏源导通电阻：2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：70 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：16 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STP4NB30 数据手册

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STP4NB30  
STP4NB30FP  
N-CHANNEL 300V - 1.8Ω - 4A - TO-220/TO-220FP  
PowerMesh™ MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STP4NB30  
STP4NB30FP  
300 V  
300 V  
< 2 Ω  
< 2 Ω  
4 A  
4 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 1.8 Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
3
2
2
1
1
TO-220  
TO-220FP  
DESCRIPTION  
Using the latest high voltage MESH OVERLAY™  
process, STMicroelectronics has designed an ad-  
vanced family of power MOSFETs with outstanding  
performances. The new patent pending strip layout  
coupled with the Company’s proprieraty edge termi-  
nation structure, gives the lowest RDS(on) per area,  
exceptional avalanche and dv/dt capabilities and  
unrivalled gate charge and switching characteris-  
tics.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR TELECOM,  
INDUSTRIAL AND CONSUMER  
ENVIRONMENT  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
STP4NB30FP  
Unit  
STP4NB30  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
300  
300  
±30  
V
V
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
V
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
4
2.5  
16  
4 (*)  
2.5 (*)  
16 (*)  
30  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
A
D
C
I
(1)  
Drain Current (pulsed)  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
70  
W
TOT  
C
Derating Factor  
0.56  
0.24  
W/°C  
V/ns  
V
dv/dt  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
4
V
ISO  
-
2000  
T
stg  
–65 to 150  
150  
°C  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•)Pulse width limited by safe operating area  
(1)I ≤4 A, di/dt ≤100A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
(BR)DSS j JMAX  
SD  
DD  
(*) Limited only by Maximum Temperature Allowed  
May 2001  
1/9  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP4NB30FP STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 300V - 1.8ohm - 4A - TO-220/TO-220F
STP4NB50 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 500V - 2.5ohm - 3.8A - TO-220/TO-22
STP4NB50FP STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL 800V - 3ohm - 4A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET
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 		N-CHANNEL 600V - 1.8ohm - 4.2A TO-220/TO-220F
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