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STP4NC60FP

更新时间： 2024-11-22 22:16:27
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲高压局域网
页数 文件大小 规格书
10页 357K
描述
N-CHANNEL 600V - 1.8ohm - 4.2A TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMesh⑩II MOSFET

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STP4NC60FP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220FP, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.61
其他特性：HIGH VOLTAGE雪崩能效等级（Eas）：250 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.2 A
最大漏极电流 (ID)：4.2 A最大漏源导通电阻：2.2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：35 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：16.8 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STP4NC60FP 数据手册

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STP4NC60 - STP4NC60FP  
STB4NC60-1  
2
N-CHANNEL 600V - 1.8Ω - 4.2A TO-220/TO-220FP/I PAK  
PowerMesh™II MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STP4NC60  
STP4NC60FP  
STB4NC60-1  
600V  
600V  
600V  
< 2.2Ω  
< 2.2Ω  
< 2.2Ω  
4.2A  
4.2A  
4.2A  
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 1.8Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
2
1
TO-220  
TO-220FP  
3
2
1
2
DESCRIPTION  
I PAK  
The PowerMESH™II is the evolution of the first  
generation of MESH OVERLAY™. The layout re-  
finements introduced greatly improve the Ron*area  
figure of merit while keeping the device at the lead-  
ing edge for what concerns swithing speed, gate  
charge and ruggedness.  
(Tabless TO-220)  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVERS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP(B)4NC60(-1) STP4NC60FP  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
600  
600  
±30  
V
V
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
V
GS  
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
4.2  
2.6  
16.8  
100  
0.8  
3.5  
-
4.2(*)  
2.6(*)  
16.8(*)  
35  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
A
D
C
I
( )  
Drain Current (pulsed)  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
TOT  
C
Derating Factor  
0.28  
3.5  
W/°C  
V/ns  
V
dv/dt(1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
V
ISO  
2500  
T
stg  
–65 to 150  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(*)Limited only by maximum Temperature allowed  
(•)Pulse width limited by safe operating area  
(1)I ≤4.2A, di/dt ≤300A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
j JMAX.  
SD  
DD  
(BR)DSS  
April 2003  
1/10  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP4NC80Z STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 800V - 2.4ohm - 4A TO-220/FP/D2PAK/
STP4NC80ZFP STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 800V - 2.4ohm - 4A TO-220/FP/D2PAK/
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 		N-CHANNEL 500V - 2.4ohm - 3A TO-220/TO-220FP/
STP4NK50ZD STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 500V - 2.4ヘ - 3A - TO-220 - TO-220F
STP4NK50ZFP STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 800V - 3ohm - 3A TO-220/TO-220FP/DP
STP4NK80Z_06 STMICROELECTRONICS

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