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STP4N100

更新时间： 2024-11-22 22:16:27
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 204K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

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STP4N100 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.23
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：160 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 A最大漏极电流 (ID)：4 A
最大漏源导通电阻：3.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：85 pFJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：125 W
最大功率耗散 (Abs)：125 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：16 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大开启时间（吨）：195 ns
Base Number Matches：1

STP4N100 数据手册

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STP4N100  
STP4N100FI  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
POWER MOS TRANSISTOR  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STP4N100  
STP4N100FI  
1000 V  
1000 V  
< 3.5 Ω  
< 3.5 Ω  
4 A  
2.2 A  
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 3.1 Ω  
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY  
100% AVALANCHE TESTED  
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
LOW INPUT CAPACITANCE  
LOW GATE CHARGE  
3
3
2
2
1
1
APPLICATION ORIENTED  
CHARACTERIZATION  
TO-220  
ISOWATT220  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
CONSUMER AND INDUSTRIAL LIGHTING  
DC-AC INVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLY (UPS)  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP4N100  
STP4N100FI  
VDS  
VDG R  
VGS  
ID  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
1000  
1000  
± 20  
V
V
V
4
2.5  
16  
125  
1
2.2  
1.4  
A
ID  
A
IDM(•)  
Ptot  
16  
A
Total Dissipation at Tc = 25 oC  
40  
W
W/oC  
V
oC  
oC  
Derating Factor  
0.32  
2000  
VISO  
Tstg  
Tj  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
-65 to 150  
150  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/10  
December 1996  
1234567...10

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与STP4N100相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP4N100FI STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP4N100XI ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 2A I(D) | SOT-186VAR
STP4N150 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 1500V - 5 - 4A TO-220/TO-247 Very High Voltage PowerMESH MOSFET
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 		N-channel 1500V - 5ヘ - 4A - TO-220/TO-247 Ver
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 		N沟道800 V、2.1 Ohm典型值、3 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-
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