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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | TO-220, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.09 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 150 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4 A | 最大漏源导通电阻： | 1.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 60 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 16 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP4N40 | SIPEX |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP4N40FI | SIPEX |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP4N62K3 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 620 V, 1.7 Ω typ., 3.8 A SuperMESH |
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| STP4N80K5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道800 V、2.1 Ohm典型值、3 A MDmesh K5功率MOSFET，TO- |
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| STP4N80XI | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 2A I(D) | SOT-186VAR |
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| STP4N90 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3.6A I(D) | TO-220 |
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| STP4N90FI | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 2.3A I(D) | TO-220VAR |
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| STP4N90K5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道900 V、1.90 Ohm典型值、3 A MDmesh K5功率MOSFET，TO |
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| STP4NA100 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP4NA40 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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