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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF610PBF
IRF610PBF PDF预览

IRF610PBF

更新时间： 2024-11-20 05:39:27
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC局域网
页数 文件大小 规格书
8页 594K
描述
Power MOSFET

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IRF610PBF 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：ROHS COMPLIANT PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：6 weeks风险等级：0.7
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：186713Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：TransistorSamacsys Package Category：Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name：TO-220-1Samacsys Released Date：2017-03-28 09:37:36
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：64 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.3 A最大漏极电流 (ID)：3.3 A
最大漏源导通电阻：1.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：36 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF610PBF 数据手册

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IRF610, SiHF610  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Dynamic dV/dt Rating  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
200  
Available  
• Repetitive Avalanche Rated  
• Fast Switching  
R
DS(on) (Ω)  
VGS = 10 V  
1.5  
RoHS*  
Qg (Max.) (nC)  
8.2  
1.8  
COMPLIANT  
• Ease of Paralleling  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
4.5  
• Simple Drive Requirements  
• Lead (Pb)-free Available  
Configuration  
Single  
D
DESCRIPTION  
TO-220  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
G
The TO-220 package is universally preferred for all  
commercial-industrial applications at power dissipation  
levels to approximately 50 W. The low thermal resistance  
and low package cost of the TO-220 contribute to its wide  
acceptance throughout the industry.  
S
D
S
N-Channel MOSFET  
G
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-220  
IRF610PbF  
SiHF610-E3  
IRF610  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHF610  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
200  
V
VGS  
20  
TC = 25 °C  
TC =100°C  
3.3  
Continuous Drain Current  
V
GS at 10 V  
ID  
2.1  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
10  
Linear Derating Factor  
0.29  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
64  
3.3  
EAR  
3.6  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
T
C = 25 °C  
PD  
36  
5.0  
dV/dt  
TJ, Tstg  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
- 55 to + 150  
300d  
°C  
for 10 s  
6-32 or M3 screw  
10  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 50 V, starting TJ = 25 °C, L = 8.8 mH, RG = 25 Ω, IAS = 3.3 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 3.3 A, dI/dt ≤ 70 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 150 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91023  
S-81240-Rev. A, 16-Jun-08  
www.vishay.com  
1
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IRF610S NJSEMI

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 		Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRF610S, SiHF610S, IRF610L, SiHF610L VISHAY

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