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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.25 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 110 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 400 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3 A | 最大漏极电流 (ID)： | 3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2.1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 50 pF | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 35 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 35 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 16 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大开启时间（吨）： | 145 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| STP4N62K3 | STMICROELECTRONICS | N-channel 620 V, 1.7 Ω typ., 3.8 A SuperMESH |
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| STP4N80K5 | STMICROELECTRONICS | N沟道800 V、2.1 Ohm典型值、3 A MDmesh K5功率MOSFET，TO- |
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| STP4N80XI | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 2A I(D) | SOT-186VAR |
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| STP4N90 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3.6A I(D) | TO-220 |
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|
| STP4N90FI | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 2.3A I(D) | TO-220VAR |
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| STP4N90K5 | STMICROELECTRONICS | N沟道900 V、1.90 Ohm典型值、3 A MDmesh K5功率MOSFET，TO |
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