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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP4N90 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3.6A I(D) | TO-220 |
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| STP4N90FI | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 2.3A I(D) | TO-220VAR |
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| STP4N90K5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道900 V、1.90 Ohm典型值、3 A MDmesh K5功率MOSFET，TO |
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| STP4NA100 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP4NA40 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP4NA40F1 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP4NA40FI | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP4NA60 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP4NA60FI | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP4NA60FP | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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