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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 23页 | 1294K |  |
| 描述 | ||
| N沟道800 V、2.1 Ohm典型值、3 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-220封装 | ||
| 生命周期： | Active | 包装说明： | TO-220, 3 PIN |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 17 weeks | 风险等级： | 2.15 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 74.5 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 800 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3 A | 最大漏极电流 (ID)： | 3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 60 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 12 A | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP4N80XI | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 2A I(D) | SOT-186VAR |
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| STP4N90 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3.6A I(D) | TO-220 |
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| STP4N90FI | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 2.3A I(D) | TO-220VAR |
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| STP4N90K5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道900 V、1.90 Ohm典型值、3 A MDmesh K5功率MOSFET，TO |
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| STP4NA100 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP4NA40 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP4NA40F1 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP4NA40FI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP4NA60 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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| STP4NA60FI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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