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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | ULTRA-LOW RESISTANCE | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 650 V | 最大漏极电流 (ID)： | 33 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.085 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 132 A |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP42N65M5 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 650 V, 0.070 Ω, 33 A MDmesh⢠V P |
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| STP432S | SAMHOP |
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N-Channel Logic Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| STP434S | SAMHOP |
获取价格 |
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| STP43N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.085 Ohm典型值、34 A MDmesh DM2功率MOSFET |
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| STP4403 | STANSON |
获取价格 |
STP4403 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produce |
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| STP4407 | STANSON |
获取价格 |
The STP4407 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor is produ |
|
| STP4435 | STANSON |
获取价格 |
SOP-8P |
|
| STP4435A | STANSON |
获取价格 |
STP4435A is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is pr |
|
| STP45N05L | STMICROELECTRONICS |
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45A, 50V, 0.035ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
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| STP45N05LFI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
24A, 50V, 0.035ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
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