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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STP45NE06FP
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STP45NE06FP

更新时间： 2024-10-31 22:18:35
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 92K
描述
N - CHANNEL 60V - 0.022ohm - 45A - TO-220/TO-220FP STripFETO POWER MOSFET

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STP45NE06FP 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220FP, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.88
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：150 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：25 A
最大漏极电流 (ID)：25 A最大漏源导通电阻：0.028 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：35 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：180 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STP45NE06FP 数据手册

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STP45NE06  
STP45NE06FP  
®
N - CHANNEL 60V - 0.022Ω - 45A - TO-220/TO-220FP  
STripFET POWER MOSFET  
PRELIMINARY DATA  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STP45NE06  
STP45NE06FP  
60 V  
60 V  
< 0.028 Ω  
< 0.028 Ω  
45 A  
25 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.022 Ω  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
LOW GATE CHARGE 100 oC  
APPLICATION ORIENTED  
CHARACTERIZATION  
3
3
2
2
1
1
DESCRIPTION  
This Power Mosfet is the latest development of  
SGS-THOMSON unique "Single Feature Size  
TO-220  
TO-220FP  
"
strip-based process. The resulting transistor  
shows extremely high packing density for low on-  
resistance, rugged avalance characteristics and  
less critical alignment steps therefore a remark-  
able manufacturing reproducibility.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP45NE06 STP45NE06FP  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
60  
60  
V
V
± 20  
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
45  
31  
25  
17.5  
180  
35  
A
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
A
IDM(•)  
Ptot  
Drain Current (pulsed)  
180  
100  
0.67  
A
o
Total Dissipation at Tc = 25 C  
W
W/oC  
Derating Factor  
0.23  
2000  
VISO  
dv/dt  
Tstg  
Tj  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
V
7
V/ns  
oC  
oC  
-65 to 175  
175  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
(1) ISD ≤ 20 A, di/dt ≤ 300 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX  
1/6  
June 1998  
123456

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STP45NE06FP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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