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STP45NF06

更新时间： 2024-09-14 22:18:35
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
6页 117K
描述
N-CHANNEL 60V - 0.022ohm - 38A TO-220 STripFET⑩ POWER MOSFET

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STP45NF06  
N-CHANNEL 60V - 0.022Ω - 38A TO-220  
STripFET™ POWER MOSFET  
PRELIMINARY DATA  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STP45NF06  
60V  
<0.028Ω  
38A  
■
■
TYPICAL R (on) = 0.022Ω  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
DS  
3
DESCRIPTION  
2
1
This Power Mosfet is the latest development of  
STMicroelectronics unique “Single Feature  
Size™” strip-based process. The resulting tran-  
sistor shows extremely high packing density for  
low on-resistance, rugged avalance characteris-  
tics and less critical alignment steps therefore a re-  
markable manufacturing reproducibility.  
TO-220  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
HIGH-EFFICIENCY DC-DC CONVERTERS  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
60  
Unit  
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
V
V
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
60  
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
±20  
38  
V
GS  
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
26  
A
D
C
I
(●)  
Drain Current (pulsed)  
152  
80  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
TOT  
C
Derating Factor  
0.53  
7
W/°C  
V/ns  
°C  
°C  
dv/dt (1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
T
stg  
–65 to 175  
175  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(●) Pulse width limited by safe operating area  
(1) I ≤38A, di/dt ≤300A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
j JMAX.  
SD  
DD  
(BR)DSS  
November 2000  
1/6  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.  
123456

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STP45NF06 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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