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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STP45NE06LFP
STP45NE06LFP PDF预览

STP45NE06LFP

更新时间： 2024-10-31 22:18:35
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 90K
描述
N - CHANNEL 60V - 0.022ohm - 45A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET

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STP45NE06LFP 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220FP, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.88Is Samacsys：N
其他特性：LOW THRESHOLD雪崩能效等级（Eas）：150 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：25 A
最大漏极电流 (ID)：25 A最大漏源导通电阻：0.03 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：35 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：180 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STP45NE06LFP 数据手册

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STP45NE06L  
STP45NE06LFP  
®
N - CHANNEL 60V - 0.022Ω - 45A - TO-220/TO-220FP  
STripFET POWER MOSFET  
PRELIMINARY DATA  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STP45NE06L  
STP45NE06LFP  
60 V  
60 V  
< 0.028 Ω  
< 0.028 Ω  
45 A  
25 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.022 Ω  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
LOW GATE CHARGE 100 oC  
LOW THRESHOLD DRIVE  
3
3
2
2
1
1
DESCRIPTION  
This Power Mosfet is the latest development of  
STMicroelectronics unique "Single Feature  
Size " strip-based process. The resulting transi-  
stor shows extremely high packing density for low  
on-resistance, rugged avalance characteristics  
and less critical alignment steps therefore a re-  
markable manufacturing reproducibility.  
TO-220  
TO-220FP  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP45NE06L STP45NE06LFP  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
60  
60  
V
V
± 20  
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
45  
31  
25  
17.5  
180  
35  
A
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
A
IDM(• )  
Ptot  
Drain Current (pulsed)  
180  
100  
0.67  
A
o
Total Dissipation at Tc = 25 C  
W
W/oC  
Derating Factor  
0.23  
2000  
VISO  
dv/dt  
Tstg  
Tj  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
V
7
V/ns  
oC  
oC  
-65 to 175  
175  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
(1) ISD ≤ 45 A, di/dt ≤ 300 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX  
1/6  
June 1999  
123456

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与STP45NE06LFP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP45NEO6 ETC

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 		N-CHANNEL 60V - 0.022 OMH - 45A - TO-220/TO-220FP STRIPFET POWER MOSFET
STP45NF06 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 60V - 0.022ohm - 38A TO-220 STripFE
STP45NF06L STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 60V - 0.022ohm - 38A TO-220 / D2PAK
STP45NF3LL STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 30V - 0.014ohm - 45A TO-220 - TO220
STP45NF3LL_06 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 30V - 0.014ohm - 45A TO-220 - TO-220FP - D2PAK STripFET II power MOSFET
STP45NF3LLFP STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 30V - 0.014ohm - 45A TO-220 - TO220
STP46N60M6 STMICROELECTRONICS

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 		N沟道600 V、68 mOhm典型值、36 A MDmesh M6功率MOSFET，TO
STP46NF30 STMICROELECTRONICS

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 		N沟道300 V、0.063 Ohm典型值、42 A STripFET(TM) II功率M
STP47 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | TO-220AB
STP48 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | TO-220AB

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