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2SK856

更新时间: 2024-11-22 21:55:35
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东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管功率场效应晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
2页 63K
描述
2SK856

2SK856 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.82Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (ID):45 A
最大漏源导通电阻:0.03 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:100 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SK856 数据手册

 浏览型号2SK856的Datasheet PDF文件第2页 

2SK856 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SK2385 TOSHIBA

功能相似

N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH VOLTAGE SWITCHING, CHOPPER REGULATOR, DC-DC CONVERTER
STP45NE06FP STMICROELECTRONICS

功能相似

N - CHANNEL 60V - 0.022ohm - 45A - TO-220/TO-220FP STripFETO POWER MOSFET

与2SK856相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK858 TOSHIBA

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TRANSISTOR 2 A, 600 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
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2SK867A PANASONIC

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Silicon N-channel Power F-MOS FET
2SK868 PANASONIC

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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
2SK868A ETC

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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-247VAR
2SK870 ETC

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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-247VAR
2SK873 RENESAS

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8A, 450V, 1.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK876 RENESAS

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12A, 500V, 0.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK879 TOSHIBA

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N CHANNEL JUNCTION TYPE (GENERAL PURPOSE AND IMPEDANCE CONVERTER AND CONDENSER MICROPHONE