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STP45N10FI

更新时间： 2024-09-14 22:19:19
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 435K
描述
N - CHANNEL 100V - 0.027ohm - 45A - TO-220/TO-220FI POWER MOS TRANSISTOR

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STP45N10FI 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：ISOWATT220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.82雪崩能效等级（Eas）：400 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：24 A
最大漏极电流 (ID)：24 A最大漏源导通电阻：0.035 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：45 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：180 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STP45N10FI 数据手册

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STP45N10  
STP45N10FI  
®
N - CHANNEL 100V - 0.027Ω - 45A - TO-220/TO-220FI  
POWER MOS TRANSISTOR  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STP45N10  
STP45N10FI  
100 V  
100 V  
< 0.035 Ω  
< 0.035 Ω  
45 A  
24 A  
■
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.027 Ω  
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY  
100% AVALANCHE TESTED  
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
LOW GATE CHARGE  
HIGH CURRENT CAPABILITY  
175 oC OPERATING TEMPERATURE  
APPLICATION ORIENTED  
3
3
2
2
1
1
TO-220  
ISOWATT220  
CHARACTERIZATION  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,  
ABS, AIR-BAG, LAMP DRIVERS. Etc.)  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
STP45N10FI  
Unit  
STP45N10  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
100  
100  
± 25  
V
V
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
45  
32  
24  
17  
A
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
A
I
DM(•)  
Drain Current (pulsed)  
180  
150  
1
180  
45  
A
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
W
W/oC  
V
oC  
oC  
Derating Factor  
0.3  
2000  
VISO  
Tstg  
Tj  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
-65 to 175  
175  
Max. Operating Junction Temperature  
1/10  
June 1998  
1234567...10

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