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STP45N10F7 PDF预览

STP45N10F7

更新时间： 2024-11-24 14:57:47
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
20页 1199K
描述
N沟道100 V、0.013 Ohm典型值、45 A STripFET F7功率MOSFET，TO-220封装

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STP45N10F7 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：1.71雪崩能效等级（Eas）：190 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：45 A
最大漏源导通电阻：0.018 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：180 A
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STP45N10F7 数据手册

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STD45N10F7, STI45N10F7,  
STP45N10F7  
N-channel 100 V, 0.0145 Ω typ., 45 A, STripFET™ F7  
Power MOSFETs in DPAK, I2PAK and TO-220 packages  
Datasheet - production data  
Features  
TAB  
TAB  
RDS(on)  
max.  
3
Order code  
VDS  
ID  
PTOT  
1
3
STD45N10F7  
STI45N10F7  
STP45N10F7  
DPAK  
2
1
I2PAK  
100 V 0.018 ꢀ 45 A 60 W  
TAB  
• Among the lowest R  
on the market  
DS(on)  
• Excellent figure of merit (FoM)  
3
2
1
• Low C Ci ratio for EMI immunity  
rss/ ss  
TO-220  
• High avalanche ruggedness  
Applications  
Figure 1. Internal schematic diagram  
• Switching applications  
'ꢅꢆꢇꢈ7$%ꢉ  
Description  
These N-channel Power MOSFETs utilize  
STripFET™ F7 technology with an enhanced  
trench gate structure that results in very low on-  
state resistance, while also reducing internal  
capacitance and gate charge for faster and more  
efficient switching.  
*ꢅꢁꢉ  
6ꢅꢊꢉ  
$0ꢀꢁꢂꢃꢄYꢁ  
Table 1. Device summary  
Order code  
Marking  
Package  
Packing  
STD45N10F7  
STI45N10F7  
STP45N10F7  
DPAK  
I2PAK  
Tape and reel  
45N10F7  
Tube  
TO-220  
September 2015  
DocID024455 Rev 2  
1/20  
This is information on a product in full production.  
www.st.com  
1234567...20

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STP45N10F7 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTP6411ANG ONSEMI

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