5秒后页面跳转
| 品牌 | Logo | 应用领域 |
| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
双极性晶体管 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 14页 | 284K |  |
| 描述 | ||
| N-channel 40A - 600V - TO-247 Very fast switching PowerMESH IGBT | ||
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-247AC |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, TO-247, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.79 | 最大集电极电流 (IC)： | 70 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 5.75 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JEDEC-95代码： | TO-247AC | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 280 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 46 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| HGTG20N60A4D | FAIRCHILD |
功能相似  |
600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode |
|
| HGTG20N60A4 | FAIRCHILD |
功能相似 |
600V, SMPS Series N-Channel IGBTs |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STGW40NC60WD_08 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
40 A - 600 V - ultra fast IGBT |
|
| STGW40S120DF3 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 40 A low drop |
|
| STGW40V60DF | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
600 V、40 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT |
|
| STGW40V65DF | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
IGBT |
|
| STGW45HF60WD | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
45 A, 600 V ultrafast IGBT with ultrafast diode |
|
| STGW45HF60WDI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
45 A, 600 V ultra fast IGBT with low drop diode |
|
| STGW45NC60VD | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
45 A, 600 V, very fast IGBT |
|
| STGW45NC60WD | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
45 A - 600 V ultra fast IGBT |
|
| STGW50H60DF | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
50 A, 600 V field stop trench gate IGBT with Ultrafast diode |
|
| STGW50H65DFB2-4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 package |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
