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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 43 weeks 2 days |
| 风险等级： | 2.26 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 80 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 158.46 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 50 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STGW40V60DF | STMICROELECTRONICS |
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600 V、40 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT |
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| STGW40V65DF | STMICROELECTRONICS |
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IGBT |
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| STGW45HF60WD | STMICROELECTRONICS |
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45 A, 600 V ultrafast IGBT with ultrafast diode |
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| STGW45HF60WDI | STMICROELECTRONICS |
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45 A, 600 V ultra fast IGBT with low drop diode |
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| STGW45NC60VD | STMICROELECTRONICS |
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45 A, 600 V, very fast IGBT |
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| STGW45NC60WD | STMICROELECTRONICS |
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45 A - 600 V ultra fast IGBT |
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| STGW50H60DF | STMICROELECTRONICS |
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50 A, 600 V field stop trench gate IGBT with Ultrafast diode |
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| STGW50H65DFB2-4 | STMICROELECTRONICS |
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Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 package |
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| STGW50H65F | STMICROELECTRONICS |
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100A, 650V, N-CHANNEL IGBT, TO-247, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
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| STGW50HF60S | STMICROELECTRONICS |
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60 A, 600 V, very low drop IGBT |
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