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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-247 | 包装说明： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.82 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 90 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 门极发射器阈值电压最大值： | 5.75 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 270 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 366 ns | 标称接通时间 (ton)： | 46 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STGW40H60DLFB | STMICROELECTRONICS |
类似代替  |
600 V、40 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STGW45NC60WD | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
45 A - 600 V ultra fast IGBT |
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| STGW50H60DF | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
50 A, 600 V field stop trench gate IGBT with Ultrafast diode |
|
| STGW50H65DFB2-4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 package |
|
| STGW50H65F | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
100A, 650V, N-CHANNEL IGBT, TO-247, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
|
| STGW50HF60S | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
60 A, 600 V, very low drop IGBT |
|
| STGW50HF60SD | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
60 A, 600 V, very low drop IGBT with soft and fast recovery diode |
|
| STGW50HF65SD | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
60 A, 650 V, very low drop IGBT with soft and fast recovery diode |
|
| STGW50NB60H | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 50A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT |
|
| STGW50NB60M | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 50A - 600V - TO-247 PowerMESH⑩ IGBT |
|
| STGW60H65DFB | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
650 V、60 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT |
|
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