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STGW50H60DF

更新时间： 2024-01-08 14:54:25

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		局域网栅双极性晶体管功率控制
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12页	1744K
描述
50 A, 600 V field stop trench gate IGBT with Ultrafast diode

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STGW50H60DF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-247	包装说明：	ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.77
最大集电极电流 (IC)：	100 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	360 W
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	285 ns	标称接通时间 (ton)：	91 ns
Base Number Matches：	1

STGW50H60DF 数据手册

STGW50H60DF

50 A, 600 V field stop trench gate IGBT with Ultrafast diode

Datasheet − production data

Features

■ High speed switching

■ Tight parameters distribution

■ Safe paralleling

■ Low thermal resistance

■ 6 µs short-circuit withstand time

■ Ultrafast soft recovery antiparallel diode

■ Lead free package

TO-247

Applications

■ Photovoltaic inverters

■ Uninterruptible power supply

■ Welding

Figure 1.

Internal schematic diagram

■ Power factor correction

■ High switching frequency converters

Description

Using advanced proprietary trench gate and field

stop structure, this IGBT leads to an optimized

compromise between conduction and switching

losses maximizing the efficiency for high

switching frequency converters. Furthermore, a

slightly positive V_CE(sat)temperature coefficient

and a very tight parameter distribution result in an

easier paralleling operation.

Table 1.

Order code

STGW50H60DF

Device summary

Marking

Package

TO-247

Packaging

GW50H60DF

Tube

July 2012

Doc ID 018673 Rev 5

1/12

This is information on a product in full production.

www.st.com

12 3 4 5 6 7...12

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STGW50H60DF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IKW50N60H3	INFINEON	功能相似	IGBT HighSpeed 3

与STGW50H60DF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STGW50H65DFB2-4	STMICROELECTRONICS	获取价格	Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 package
STGW50H65F	STMICROELECTRONICS	获取价格	100A, 650V, N-CHANNEL IGBT, TO-247, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
STGW50HF60S	STMICROELECTRONICS	获取价格	60 A, 600 V, very low drop IGBT
STGW50HF60SD	STMICROELECTRONICS	获取价格	60 A, 600 V, very low drop IGBT with soft and fast recovery diode
STGW50HF65SD	STMICROELECTRONICS	获取价格	60 A, 650 V, very low drop IGBT with soft and fast recovery diode
STGW50NB60H	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 50A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT
STGW50NB60M	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 50A - 600V - TO-247 PowerMESH⑩ IGBT
STGW60H65DFB	STMICROELECTRONICS	获取价格	650 V、60 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
STGW60H65DFB-4	STMICROELECTRONICS	获取价格	650 V、60 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
STGW60H65FB	STMICROELECTRONICS	获取价格	650 V、60 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

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