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Datasheet > 晶体管 > IGBT> HGTG20N60A4D
HGTG20N60A4D PDF预览

HGTG20N60A4D

更新时间： 2024-11-20 22:51:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体二极管开关晶体管电动机控制瞄准线双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
9页 199K
描述
600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

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HGTG20N60A4D 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-247
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：3.74
其他特性：LOW CONDUCTION LOSS外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：70 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最大降落时间（tf）：73 ns
门极发射器阈值电压最大值：7 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：290 W
认证状态：Not Qualified最大上升时间（tr）：18 ns
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：160 ns标称接通时间 (ton)：28 ns
Base Number Matches：1

HGTG20N60A4D 数据手册

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HGTG20N60A4D, HGT4E20N60A4DS  
Data Sheet  
APRIL 2002  
600V, SMPS Series N-Channel IGBT with  
Anti-Parallel Hyperfast Diode  
Features  
• >100kHz Operation At 390V, 20A  
• 200kHz Operation At 390V, 12A  
• 600V Switching SOA Capability  
This family of MOS gated high voltage switching devices  
combine the best features of MOSFETs and bipolar  
transistors. These devices have the high input impedance of  
a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar  
transistor. The much lower on-state voltage drop varies only  
o
• Typical Fall Time . . . . . . . . . . . . . . . . .55ns at T = 125 C  
J
• Low Conduction Loss  
o
o
moderately between 25 C and 150 C. The IGBT used is the  
development type TA49339. The diode used in anti-parallel  
is the development type TA49372.  
• Temperature Compensating SABER™ Model  
www.fairchildsemi.com  
These IGBT’s are ideal for many high voltage switching  
applications operating at high frequencies where low  
conduction losses are essential. These devices have been  
optimized for high frequency switch mode power  
supplies.  
Packaging  
JEDEC STYLE TO-247  
E
C
G
Formerly Developmental Type TA49341.  
Ordering Information  
PART NUMBER  
PACKAGE  
TO-247  
TO-268  
BRAND  
20N60A4D  
20N60A4DS  
HGTG20N60A4D  
HGT4E20N60A4DS  
TO-268AA  
NOTE: When ordering, use the entire part number.  
Symbol  
C
C
G
G
E
E
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR IGBT PRODUCT IS COVERED BY ONE OR MORE OF THE FOLLOWING U.S. PATENTS  
4,364,073  
4,598,461  
4,682,195  
4,803,533  
4,888,627  
4,417,385  
4,605,948  
4,684,413  
4,809,045  
4,890,143  
4,430,792  
4,620,211  
4,694,313  
4,809,047  
4,901,127  
4,443,931  
4,631,564  
4,717,679  
4,810,665  
4,904,609  
4,466,176  
4,639,754  
4,743,952  
4,823,176  
4,933,740  
4,516,143  
4,639,762  
4,783,690  
4,837,606  
4,963,951  
4,532,534  
4,641,162  
4,794,432  
4,860,080  
4,969,027  
4,587,713  
4,644,637  
4,801,986  
4,883,767  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
HGTG20N60A4D, HGT4E20N60A4DS Rev. C  
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HGTG20N60A4D 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
HGTG20N60A4D ONSEMI

类似代替

 600V，SMPS IGBT
HGTG20N60A4 FAIRCHILD

类似代替

 600V, SMPS Series N-Channel IGBTs

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HGTG20N60A4D_09 FAIRCHILD

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 		600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTG20N60A4D_NL FAIRCHILD

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, LEAD FREE P
HGTG20N60B3 FAIRCHILD

获取价格

 		40A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs
HGTG20N60B3 INTERSIL

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 		40A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs
HGTG20N60B3 ONSEMI

获取价格

 		600V，PT IGBT
HGTG20N60B3_NL FAIRCHILD

获取价格

 		暂无描述
HGTG20N60B3D FAIRCHILD

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 		40A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
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 		40A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTG20N60B3D ONSEMI

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 		600V，PT IGBT
HGTG20N60B3D_NL FAIRCHILD

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247

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