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HGTG20N60A4D_NL

更新时间： 2024-11-25 20:58:47

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		局域网栅瞄准线功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	148K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, LEAD FREE PACKAGE-3

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HGTG20N60A4D_NL 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	70 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	160 ns
标称接通时间 (ton)：	28 ns	Base Number Matches：	1

HGTG20N60A4D_NL 数据手册

HGTG20N60A4D

Data Sheet

February 2009

600V, SMPS Series N-Channel IGBT with

Anti-Parallel Hyperfast Diode

Features

• >100kHz Operation At 390V, 20A

• 200kHz Operation At 390V, 12A

• 600V Switching SOA Capability

The HGTG20N60A4D is a MOS gated high voltage switching

device combining the best features of MOSFETs and bipolar

transistors. This device has the high input impedance of a

MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar

transistor. The much lower on-state voltage drop varies only

• Typical Fall Time . . . . . . . . . . . . . . . . 55ns at T = 125 C

• Low Conduction Loss

moderately between 25 C and 150 C. The IGBT used is the

development type TA49339. The diode used in anti-parallel

is the development type TA49372.

• Temperature Compensating SABER™ Model

www.fairchildsemi.com

This IGBT is ideal for many high voltage switching

applications operating at high frequencies where low

conduction losses are essential. This device has been

optimized for high frequency switch mode power

supplies.

Packaging

JEDEC STYLE TO-247

Formerly Developmental Type TA49341.

Ordering Information

PART NUMBER

PACKAGE

BRAND

20N60A4D

HGTG20N60A4D

TO-247

COLLECTOR

(FLANGE)

NOTE: When ordering, use the entire part number.

Symbol

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR IGBT PRODUCT IS COVERED BY ONE OR MORE OF THE FOLLOWING U.S. PATENTS

4,364,073

4,598,461

4,682,195

4,803,533

4,888,627

4,417,385

4,605,948

4,684,413

4,809,045

4,890,143

4,430,792

4,620,211

4,694,313

4,809,047

4,901,127

4,443,931

4,631,564

4,717,679

4,810,665

4,904,609

4,466,176

4,639,754

4,743,952

4,823,176

4,933,740

4,516,143

4,639,762

4,783,690

4,837,606

4,963,951

4,532,534

4,641,162

4,794,432

4,860,080

4,969,027

4,587,713

4,644,637

4,801,986

4,883,767

HGTG20N60A4D Rev. C1

12 3 4 5 6 7...9

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HGTG20N60B3_NL	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
HGTG20N60B3D	FAIRCHILD	获取价格	40A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTG20N60B3D	INTERSIL	获取价格	40A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTG20N60B3D	ONSEMI	获取价格	600V，PT IGBT
HGTG20N60B3D_NL	FAIRCHILD	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
HGTG20N60C3	INTERSIL	获取价格	45A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
HGTG20N60C3	FAIRCHILD	获取价格	45A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT

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