5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > HGTG27N120BN
HGTG27N120BN PDF预览

HGTG27N120BN

更新时间： 2024-10-02 11:15:55
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网瞄准线双极性晶体管功率控制
页数 文件大小 规格书
9页 387K
描述
1200V，NPT IGBT

阅读下载

中文翻译

获取价格

HGTG27N120BN 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Not Recommended
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：7.6
Is Samacsys：N其他特性：LOW CONDUCTION LOSS, AVALANCHE RATED
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：72 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：360 ns
标称接通时间 (ton)：42 nsBase Number Matches：1

HGTG27N120BN 数据手册

 浏览型号HGTG27N120BN的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HGTG27N120BN的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HGTG27N120BN的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HGTG27N120BN的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HGTG27N120BN的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HGTG27N120BN的Datasheet PDF文件第7页 
NPT Series N-Channel IGBT  
72 A, 1200 V  
HGTG27N120BN  
The HGTG27N120BN is Non−Punch Through (NPT) IGBT design.  
This is a new member of the MOS gated high voltage switching IGBT  
family. IGBTs combine the best features of MOSFETs and bipolar  
transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET  
and the low on−state conduction loss of a bipolar transistor.  
The IGBT is ideal for many high voltage switching applications  
operating at moderate frequencies where low conduction losses are  
essential, such as: AC and DC motor controls, power supplies and  
drivers for solenoids, relays and contactors.  
www.onsemi.com  
C
G
Formerly Developmental Type TA49280.  
E
Features  
• 72 A, 1200 V, T = 25°C  
C
E
C
G
• 1200 V Switching SOA Capability  
• Typical Fall Time 140 ns at T = 150°C  
J
• Short Circuit Rating  
COLLECTOR  
(BOTTOM SIDE  
METAL)  
• Low Conduction Loss  
• Thermal Impedance SPICE Model Temperature Compensating  
SABERt Model  
TO−247−3LD SHORT LEAD  
CASE 340CK  
JEDEC STYLE  
• Avalanche Rated  
• This is a Pb−Free Device  
MARKING DIAGRAM  
$Y&Z&3&K  
G27N120BN  
$Y  
&Z  
&3  
&K  
= ON Semiconductor Logo  
= Assembly Plant Code  
= Numeric Date Code  
= Lot Code  
G27N120BN = Specific Device Code  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 7 of  
this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
April, 2020 − Rev. 3  
HGTG27N120BN/D  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

HGTG27N120BN 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
HGTG30N60A4 ONSEMI

类似代替

 IGBT，600V，SMPS
HGTG20N60A4D ONSEMI

类似代替

 600V，SMPS IGBT
HGTG20N60B3D ONSEMI

类似代替

 600V，PT IGBT

与HGTG27N120BN相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HGTG27N120BN_04 FAIRCHILD

获取价格

 		72A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
HGTG27N60C3DR FAIRCHILD

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 54A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
HGTG27N60C3DR ROCHESTER

获取价格

 		54A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
HGTG27N60C3R ROCHESTER

获取价格

 		54A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
HGTG30N120CN FAIRCHILD

获取价格

 		75A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
HGTG30N120CN INTERSIL

获取价格

 		75A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
HGTG30N120D2 INTERSIL

获取价格

 		30A, 1200V N-Channel IGBT
HGTG30N60 MICROSS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor
HGTG30N60A4 INTERSIL

获取价格

 		600V, SMPS Series N-Channel IGBT
HGTG30N60A4 ONSEMI

获取价格

 		IGBT，600V，SMPS

与HGTG27N120BN相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证