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HGTG27N60C3DR

更新时间： 2024-10-01 20:06:23

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		局域网电动机控制栅瞄准线晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	85K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 54A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247

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HGTG27N60C3DR 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.24
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS, ULTRA FAST	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	54 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	450 ns
标称接通时间 (ton)：	68 ns	Base Number Matches：	1

HGTG27N60C3DR 数据手册

HGTG27N60C3DR

Data Sheet

June 2000

File Number 4262.1

54A, 600V, Rugged UFS Series N-Channel

IGBT with Anti-Parallel Ultrafast Diode

Features

• 54A, 600V, T = 25 C

[ /Title

(HGT

G27N6

0C3D

/Sub-

ject

(54A,

600V,

Rug-

ged

This IGBT was designed for optimum performance in the

demanding world of motor control operation as well as other

high voltage switching applications. This device

demonstrates RUGGED performance capability when

subjected to harsh SHORT CIRCUIT WITHSTAND TIME

(SCWT) conditions. The parts have ULTRAFAST (UFS)

switching speed while the on-state conduction losses have

been kept at a low level.

• 600V Switching SOA Capability

• Typical Fall Time at T = 150 C . . . . . . . . . . . . . . . 200ns

• Short Circuit Rating at T = 150 C. . . . . . . . . . . . . . .10µs

• Low Conduction Loss

Package

JEDEC STYLE TO-247

Ordering Information

PART NUMBER

PACKAGE

BRAND

27N60C3DR

HGTG27N60C3DR

TO-247

UFS

NOTE: When ordering, use the entire part number.

Series

N-

Chan-

nel

COLLECTOR

(FLANGE)

Symbol

IGBT

with

Anti-

Paral-

lel

Ultrafa

INTERSIL CORPORATION IGBT PRODUCT IS COVERED BY ONE OR MORE OF THE FOLLOWING U.S. PATENTS

Diode)

/Autho

r ()

/Key-

words

(Inter-

sil

4,364,073

4,598,461

4,682,195

4,803,533

4,888,627

4,417,385

4,605,948

4,684,413

4,809,045

4,890,143

4,430,792

4,620,211

4,694,313

4,809,047

4,901,127

4,443,931

4,631,564

4,717,679

4,810,665

4,904,609

4,466,176

4,639,754

4,743,952

4,823,176

4,933,740

4,516,143

4,639,762

4,783,690

4,837,606

4,963,951

4,532,534

4,641,162

4,794,432

4,860,080

4,969,027

4,587,713

4,644,637

4,801,986

4,883,767

Corpo-

ration,

semi-

con-

ductor,

Ava-

lanche

CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper ESD Handling Procedures.

12 3 4 5 6 7

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与HGTG27N60C3DR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HGTG27N60C3R	ROCHESTER	获取价格	54A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
HGTG30N120CN	FAIRCHILD	获取价格	75A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
HGTG30N120CN	INTERSIL	获取价格	75A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
HGTG30N120D2	INTERSIL	获取价格	30A, 1200V N-Channel IGBT
HGTG30N60	MICROSS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
HGTG30N60A4	INTERSIL	获取价格	600V, SMPS Series N-Channel IGBT
HGTG30N60A4	ONSEMI	获取价格	IGBT，600V，SMPS
HGTG30N60A4	FAIRCHILD	获取价格	600V, SMPS Series N-Channel IGBT
HGTG30N60A4D	FAIRCHILD	获取价格	600V, SMPS Series N-Channel IGBT with
HGTG30N60A4D	INTERSIL	获取价格	600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

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