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HGTG30N60C3D PDF预览

HGTG30N60C3D

更新时间： 2024-11-08 11:14:31
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网电动机控制栅瞄准线双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 427K
描述
600V, PT IGBT

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HGTG30N60C3D 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Not Recommended
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：6.98
Is Samacsys：N其他特性：LOW CONDUCTION LOSS
最大集电极电流 (IC)：63 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODEJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：550 ns标称接通时间 (ton)：85 ns
Base Number Matches：1

HGTG30N60C3D 数据手册

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UFS Series N-Channel IGBT  
with Anti-Parallel Hyperfast  
Diodes  
63 A, 600 V  
HGTG30N60C3D  
www.onsemi.com  
The HGTG30N60C3D is a MOS gated high voltage switching  
device combining the best features of MOSFETs and bipolar  
transistors. The device has the high input impedance of a MOSFET  
and the low on−state conduction loss of a bipolar transistor. The much  
lower on−state voltage drop varies only moderately between 25°C and  
150°C. The IGBT used is the development type TA49051. The diode  
used in anti−parallel with the IGBT is the development type TA49053.  
This IGBT is ideal for many high voltage switching applications  
operating at moderate frequencies where low conduction losses are  
essential  
C
G
E
E
C
G
Formerly Developmental Type TA49014.  
Features  
• 63 A, 600 V at T = 25°C  
C
• Typical Fall Time 230 ns at T = 150°C  
J
TO−247−3LD SHORT LEAD  
CASE 340CK  
• Short Circuit Rating  
JEDEC STYLE  
• Low Conduction Loss  
• Hyperfast Anti−Parallel Diode  
• This is a Pb−Free Device  
MARKING DIAGRAM  
$Y&Z&3&K  
G30N60C3D  
$Y  
&Z  
&3  
&K  
= ON Semiconductor Logo  
= Assembly Plant Code  
= Numeric Date Code  
= Lot Code  
G30N60C3D = Specific Device Code  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 8 of  
this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
April, 2020 − Rev. 2  
HGTG30N60C3D/D  
1234567...10

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HGTG30N60C3D 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
HGTG30N60A4 ONSEMI

类似代替

 IGBT，600V，SMPS
HGTG20N60A4D ONSEMI

类似代替

 600V，SMPS IGBT
HGTG12N60A4D ONSEMI

类似代替

 600V，SMPS IGBT

与HGTG30N60C3D相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HGTG30N60C3D_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 63A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
HGTG30N60C3D_NL ROCHESTER

获取价格

 		63A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
HGTG32N60E2 INTERSIL

获取价格

 		32A, 600V N-Channel IGBT
HGTG34N100E2 INTERSIL

获取价格

 		34A, 1000V N-Channel IGBT
HGTG40N6 HARRIS

获取价格

 		70A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
HGTG40N60A4 FAIRCHILD

获取价格

 		600V, SMPS Series N-Channel IGBT
HGTG40N60A4 INTERSIL

获取价格

 		600V, SMPS Series N-Channel IGBT
HGTG40N60A4 ONSEMI

获取价格

 		600V，SMPS IGBT
HGTG40N60A4_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247. 3 P
HGTG40N60B3 INTERSIL

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 		70A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT

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