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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-247 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 3.16 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 70 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE |
| 最大降落时间（tf）： | 175 ns | 门极发射器阈值电压最大值： | 6 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 290 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 385 ns | 标称接通时间 (ton)： | 82 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| HGTG20N60A4 | ONSEMI |
类似代替  |
IGBT，600V，SMPS |
|
| HGTG20N60A4D | ONSEMI |
类似代替 |
600V，SMPS IGBT |
|
| HGTG40N60B3 | ONSEMI |
类似代替 |
600V，PT IGBT |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HGTG40N60B3_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247, 3 P |
|
| HGTG40N60C3 | INTERSIL |
获取价格 |
75A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT |
|
| HGTG40N60C3 | FAIRCHILD |
获取价格 |
75A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT |
|
| HGTG40N60C3R | RENESAS |
获取价格 |
75A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
|
| HGTG40N60C3R | ROCHESTER |
获取价格 |
75A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
|
| HGTG5N120BND | FAIRCHILD |
获取价格 |
21A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diodes |
|
| HGTG5N120BND | INTERSIL |
获取价格 |
21A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diodes |
|
| HGTG5N120BND | RENESAS |
获取价格 |
21A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
|
| HGTG5N120BND | ONSEMI |
获取价格 |
1200V，NPT IGBT |
|
| HGTG5N120BND_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 21A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247, 3 |
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