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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 5.76 | 最大集电极电流 (IC)： | 12 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 400 V | 最大降落时间（tf）： | 500 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 4.5 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W |
| 最大上升时间（tr）： | 50 ns | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HGTH12N40E1 | INTERSIL |
获取价格 |
10A, 12A, 400V and 500V N-Channel IGBTs |
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| HGTH12N40E1D | RENESAS |
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TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN+DIODE,400V V(BR)CES,12A I(C),TO-218AC |
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| HGTH12N50C1 | INTERSIL |
获取价格 |
10A, 12A, 400V and 500V N-Channel IGBTs |
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| HGTH12N50C1D | RENESAS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-218AC |
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| HGTH12N50E1 | INTERSIL |
获取价格 |
10A, 12A, 400V and 500V N-Channel IGBTs |
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| HGTH12N50E1D | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN+DIODE,500V V(BR)CES,12A I(C),TO-218AC |
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| HGTH20N40C1 | INTERSIL |
获取价格 |
15A, 20A, 400V and 500V N-Channel IGBTs |
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| HGTH20N40C1D | INTERSIL |
获取价格 |
20A, 400V and 500V N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Ultrafast Diodes |
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| HGTH20N40E1 | INTERSIL |
获取价格 |
15A, 20A, 400V and 500V N-Channel IGBTs |
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| HGTH20N40E1D | INTERSIL |
获取价格 |
20A, 400V and 500V N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Ultrafast Diodes |
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