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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.92 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 12 A | 集电极-发射极最大电压： | 500 V |
| 最大降落时间（tf）： | 500 ns | 门极发射器阈值电压最大值： | 4.5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W | 最大上升时间（tr）： | 50 ns |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HGTM12N50E1 | RENESAS |
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TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN,500V V(BR)CES,12A I(C),TO-204AA |
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| HGTM12N60D1 | RENESAS |
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TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN+DIODE,600V V(BR)CES,21A I(C),TO-204AA |
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| HGTM20N40C1 | RENESAS |
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TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN,400V V(BR)CES,20A I(C),TO-204AA |
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| HGTM20N40E1 | RENESAS |
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暂无描述 |
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| HGTM20N50C1 | RENESAS |
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TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN,500V V(BR)CES,20A I(C),TO-204AA |
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| HGTM20N50E1 | RENESAS |
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TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN,500V V(BR)CES,20A I(C),TO-204AA |
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| HGTM24N60D1 | RENESAS |
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TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN+DIODE,600V V(BR)CES,40A I(C),TO-204AA |
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| HGTP10N120B3 | RENESAS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB |
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| HGTP10N120B3D | RENESAS |
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1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
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| HGTP10N120BN | INTERSIL |
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35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT |
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