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HGTM20N50E1

更新时间: 2024-11-09 19:26:07
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瑞萨 - RENESAS 局域网双极性晶体管功率控制
页数 文件大小 规格书
5页 302K
描述
TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN,500V V(BR)CES,20A I(C),TO-204AA

HGTM20N50E1 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.92
最大集电极电流 (IC):20 A集电极-发射极最大电压:500 V
最大降落时间(tf):1000 ns门极发射器阈值电压最大值:4.5 V
门极-发射极最大电压:20 VJESD-609代码:e0
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):100 W最大上升时间(tr):50 ns
子类别:Insulated Gate BIP Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

HGTM20N50E1 数据手册

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