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HGTG40N60C3

更新时间： 2024-09-17 04:21:43

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	112K
描述
75A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT

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HGTG40N60C3 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.35	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
最大集电极电流 (IC)：	75 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	最大降落时间（tf）：	210 ns
门极发射器阈值电压最大值：	6 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	291 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	460 ns
标称接通时间 (ton)：	71 ns

HGTG40N60C3 数据手册

HGTG40N60C3

Data Sheet

December 2001

75A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT

Features

The HGTG40N60C3 is a MOS gated high voltage switching

device combining the best features of a MOSFET and a

bipolar transistor. These devices have the high input

impedance of a MOSFET and the low on-state conduction

loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage

• 75A, 600V, T = 25 C

• 600V Switching SOA Capability

• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 100ns at T = 150 C

• Short Circuit Rating

• Low Conduction Loss

drop varies only moderately between 25 C and 150 C.

The IGBT is ideal for many high voltage switching

applications operating at moderate frequencies where low

conduction losses are essential, such as: AC and DC motor

controls, power supplies and drivers for solenoids, relays and

contactors.

Packaging

JEDEC STYLE TO-247

Formerly developmental type TA49273.

Ordering Information

PART NUMBER

PACKAGE

PKG. NO.

HGTG40N60C3

TO-247

G40N60C3

NOTE: When ordering, use the entire part number.

Symbol

FAIRCHILD CORPORATION IGBT PRODUCT IS COVERED BY ONE OR MORE OF THE FOLLOWING U.S. PATENTS

4,364,073

4,598,461

4,682,195

4,803,533

4,888,627

4,417,385

4,605,948

4,684,413

4,809,045

4,890,143

4,430,792

4,620,211

4,694,313

4,809,047

4,901,127

4,443,931

4,631,564

4,717,679

4,810,665

4,904,609

4,466,176

4,639,754

4,743,952

4,823,176

4,933,740

4,516,143

4,639,762

4,783,690

4,837,606

4,963,951

4,532,534

4,641,162

4,794,432

4,860,080

4,969,027

4,587,713

4,644,637

4,801,986

4,883,767

HGTG40N60C3 Rev. B

12 3 4 5 6 7 8

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与HGTG40N60C3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HGTG40N60C3R	RENESAS	获取价格	75A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
HGTG40N60C3R	ROCHESTER	获取价格	75A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
HGTG5N120BND	FAIRCHILD	获取价格	21A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
HGTG5N120BND	INTERSIL	获取价格	21A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
HGTG5N120BND	RENESAS	获取价格	21A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
HGTG5N120BND	ONSEMI	获取价格	1200V，NPT IGBT
HGTG5N120BND_NL	FAIRCHILD	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 21A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247, 3
HGTG5N120CND	INTERSIL	获取价格	25A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTG7N60A4	INTERSIL	获取价格	600V, SMPS Series N-Channel IGBT
HGTG7N60A4	FAIRCHILD	获取价格	600V, SMPS Series N-Channel IGBT

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